日前，由第三代半導體產業知名媒體與產業研究機構“行家說三代半”主辦的2023行家極光獎頒獎典禮盛大召開。三安榮獲“第三代半導體年度中國領軍企業”、“中國SiC器件IDM十強企業”稱號，同時，三安旗下碳化硅MOSFET和碳化硅襯底產品雙雙入選“第三代半導體年度優秀產品獎”。

本屆行家極光獎設置了“年度企業”、“十強榜單”、“年度優秀產品獎”三大獎項，旨在表彰在第三代半導體領域技術創新、推廣應用、產業化等方面作出突出貢獻的企業和優秀產品。

三安在第三代半導體領域擁有近20年的研發歷史，具備堅實的技術基礎、豐富的制造經驗和一流的專業人才。公司的6吋碳化硅襯底已通過數家國際大客戶驗證，并實現批量出貨；8吋碳化硅襯底已實現小批量試制，送樣驗證獲得國際客戶認可；公司已經量產了適用于主驅的1200V/13mΩ/16mΩ SiC MOSFET，適用于OBC的1200V/75mΩ/32mΩ SiC MOSFET，公司的全產業鏈垂直整合模式，決定了在車規級產品的低失效率上具有先天優勢，而且在缺陷控制方面的研究，能夠保證缺陷ink的有效性。同時，在車規產品性能設計上，為了保證車規使用的安全性，還專門對BV、Vth和Tsc等核心性能進行了優化提升。此外，公司還完成了高壓SiC平臺的布局，其中1700V/1000mΩ SiC MOSFET已量產，并在各主流光伏逆變器廠商進入驗證階段，產品綜合性能優異。截止目前，三安已累計服務國內外客戶超800家，碳化硅芯片/器件出貨量超2億顆。通過采用三安的碳化硅產品，客戶能夠開發出高性能、高效率的解決方案。 

三安在碳化硅功率半導體領域的市場份額穩步增長，公司正積極投資未來的發展。2023年6月，三安與意法宣布共建8吋碳化硅器件合資制造工廠，同時三安將獨資建立8吋碳化硅襯底工廠作為配套。這一戰略投資將顯著提升三安的碳化硅功率半導體產能，支持公司的長期增長計劃，加速碳化硅技術在各終端市場的應用，為能源效率的提升開啟新篇章。

三安的碳化硅技術在眾多應用領域發揮關鍵作用，包括支持汽車動力系統的電氣化和電動化，以及促進可再生能源的廣泛應用。碳化硅技術以其卓越的性能和高效率，正在開辟新的應用前景，并為我們的生活帶來深遠的影響。作為碳化硅技術的積極推廣者，三安對未來充滿期待，并致力于推動這一領域的創新與進步。

同期舉行的SiC技術創新大會上，三安技術總監葉念慈博士帶來《碳化硅垂直整合功率器件制造平臺》的專題報告；在《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》成果發布現場，三安作為參編單位派代表上臺參加了授證儀式。